IRHN7450SESCS
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IRHN7450SESCS
IRHN7450SESCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    150 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    510 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.6 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHN7450SESCS R4 MOSFET is a single radiation-hardened N-channel device in a SMD-1 package, with 500V, 12A ratings. It is ideal for space applications, with electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification. These devices have low RDS(on) and gate charge, reducing power loss in DC-DC converters and motor control. They offer voltage control, fast switching, and temperature stability of electrical parameters.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ