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IRHN7450SESCS

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IRHN7450SESCS
IRHN7450SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    7 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    150 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    510 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.6 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-1 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-1 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHN7450SESCS R4 MOSFET is a single radiation-hardened N-channel device in a SMD-1 package, with 500V, 12A ratings. It is ideal for space applications, with electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification. These devices have low RDS(on) and gate charge, reducing power loss in DC-DC converters and motor control. They offer voltage control, fast switching, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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