IRHMS67260SCS

データシート

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IRHMS67260SCS
IRHMS67260SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMS67260SCS R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened MOSFET with a max voltage of 200V and max current of 45A. Its low RDS(on) and low gate charge make it perfect for switching applications. This MOSFET is ideal for space applications and has been characterized for both Total Dose and Single Event Effects (SEE) with useful performance up to LET of 90 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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