IRHMS57163SESCS

データシート

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IRHMS57163SESCS
IRHMS57163SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 C
  • QPL型番
    2N7475T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    14.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMS57163SESCS R5 N-channel MOSFET is a space-grade device with a rad hard design, 130V voltage rating, and 45A current rating. It comes in a TO-254AA low ohmic package and offers electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification. This MOSFET features low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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