IRHM7250SESCS
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IRHM7250SESCS

データシート
パッケージ

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IRHM7250SESCS
IRHM7250SESCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    26 A
  • QG
    180 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    100 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This N-channel MOSFET, IRHM7250SESCS, is a single, high performance power device designed for space applications. With a voltage rating of 200V, it features low RDS(on) and low gate charge, making it ideal for DC-DC converters and motor control. The device is rad hard and has been characterized for Total Dose and Single Event Effects (SEE), with electrical performance up to 100krad(Si) TID. This COTS part comes in a standard TO-254AA package.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ