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IRH9150SCV

データシート
パッケージ

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IRH9150SCV
IRH9150SCV
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    -14 A
  • ID (@25°C) max
    -22 A
  • QG
    200 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    75 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    TO-204AE
  • 極性
    P
  • 認定
    QIRL
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRH9150SCV P-channel MOSFET is rad hard, with -100V and -22A, in a single TO-204AE package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification. IR HiRel R4 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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