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IRFZ46NL
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IRFZ46NL

生産終了
55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-262 package
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IRFZ46NL
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    53 A
  • Ptot (最大)
    120 W
  • Qgd
    17.3 nC
  • QG (typ @10V)
    48 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    16.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    0.52
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFZ46NLPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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