IRFZ24N
新規設計非推奨
RoHS対応

IRFZ24N

55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRFZ24N
IRFZ24N
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Qgd
    5.1 nC
  • QG (typ @10V)
    13.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    70 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.2
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFZ24NPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement to existing devices
  • High current capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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