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IRFR24N15D

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRFR24N15D
IRFR24N15D
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    24 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    17 nC
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJC max
    1.1 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFR24N15DTRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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