IRFH7187

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package.
データシート

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IRFH7187
IRFH7187
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    105 A
  • ID (最大)
    66 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    66 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    18 A
  • Ptot (最大)
    132 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.8 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG
    33 nC
  • RDS (on) (最大)
    6 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.95 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low RDS(ON) (less than 0.6mOhms) provides Lower Conduction Losses
  • Internal Snubber for Reduced Vds Spike and Improved EMI
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.95°C/W) for Increased Power Density
  • 100% Rg Tested for Increased Reliability
  • Low Profile (less than 1.05 mm) results in Increased Power Density
  • Industry-Standard Pinout provides for Multi-Vendor Compatibility
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques for Easier Manufacturing
  • Environmentally Friendly - RoHS Compliant and Halogen-Free
  • Increased Reliability - MSL1

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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