IRFH6200
Active and preferred
RoHS対応

IRFH6200

20V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
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在庫あり

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IRFH6200
IRFH6200
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    49 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.6 W
  • Ptot (最大)
    250 W
  • Qgd
    53 nC
  • QG (typ @4.5V)
    155 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.95 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.99 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    0.5 V～1.1 V
  • VGS(th)
    0.8 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.7
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRFH6200TRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Standard surface-mount power package
  • Qualification according JEDEC standard
  • Applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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