IRFH5306

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

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IRFH5306
IRFH5306

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) max
    15 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    45 A
  • ID max
    28 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    28 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    13 A
  • Ptot max
    26 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Qgd
    3 nC
  • QG
    7.8 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    13.3 mΩ
  • RDS (on) max
    8.1 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    8.1 mΩ
  • RthJC max
    4.9 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low RDSon (less than 1.15 mO)
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8°C/W)
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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