IRFB4227
アクティブ
RoHS対応

IRFB4227

200V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRFB4227
IRFB4227
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    65 A
  • Ptot (最大)
    190 W
  • Qgd
    23 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    24 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.7
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB4227PBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole package
  • High-current rating
  • JEDEC standard Product qualification
  • 100kHz Silicon switching applications
  • Softer body-diode vs previous generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carry capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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