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IRFB3806
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFB3806

生産終了
60V Single N-Channel IR MOSFET™ in a TO-220AB package
データシート
パッケージ

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IRFB3806
IRFB3806
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • Ptot (最大)
    71 W
  • Qgd
    6.3 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    15.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.12 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.28
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFB3806PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
KR,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
KR,TW
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Increased current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ