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生産終了
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RoHS準拠

IRFB3806

生産終了
60V Single N-Channel IR MOSFET™ in a TO-220AB package
データシート
パッケージ

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IRFB3806
IRFB3806
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • Ptot (最大)
    71 W
  • Qgd
    6.3 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    15.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.12 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.28
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB3806PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Increased current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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