IRFB3607
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRFB3607

75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート

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IRFB3607
IRFB3607
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • Ptot (最大)
    140 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.05 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB3607PBFXKMA1 IRFB3607PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
TO220
パッケージ名 N/A TO220
梱包サイズ 1000 1000
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA NA
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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