アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IRFB3607

75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRFB3607
IRFB3607
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • Ptot (最大)
    140 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.05 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB3607PBFXKMA1 IRFB3607PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
TO220
パッケージ名 N/A TO220
包装サイズ 1000 1000
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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