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IRFB3004
生産終了
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IRFB3004

生産終了
40V Single N-Channel IR MOSFET™ in a TO-220AB package
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IRFB3004
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    340 A
  • Ptot (最大)
    380 W
  • Qgd
    68 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.75 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.4 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.69
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFB3004PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
ウェハ製造国
DE,KR,TW
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国
DE,KR,TW
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The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Increased current carrying capability
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ