IRF8788
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF8788

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
パッケージ
個.
在庫あり

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IRF8788
IRF8788
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @4.5V)
    44 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    3.8 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
OPN
IRF8788TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
  • Industry standard surface-mount package
  • Capable of being wave-soldered
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ