IRF7904PBF-1

IRF7904PBF-1

30V Dual N Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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IRF7904PBF-1
IRF7904PBF-1

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A, 7.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    4.8 W
  • Qgd (typ)
    4.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC, 14 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10.8 mΩ, 16.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    13 mΩ, 20.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V~2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ