Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7862

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7862
IRF7862
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    21 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    9.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.35 V ～ 2.35 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRF7862TRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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