IRF7769L1
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF7769L1

100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ L8 package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7769L1
IRF7769L1
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    124 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.3 W
  • Ptot (最大)
    125 W
  • Qgd
    110 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET (L)
  • マイクロステンシル
    IRF66L8-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.85
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF7769L1TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ MG-WDSON-11
パッケージ名 DirectFET (L)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX
ウェハ製造国
GB,MY,TW

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ MG-WDSON-11
パッケージ名 DirectFET (L)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
GB,MY,TW
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) pkg inductance
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High current carrying capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

アプリケーション

産業用ロボット
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ