IRF7389
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRF7389

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
複数のOPNを利用可能
個.

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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -5.3 A, 7.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd (typ)
    6.4 nC, 5.9 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC, 22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    29 mΩ, 58 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    46 mΩ, 98 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V, 30 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V, -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.28
  • 極性
    N+P

OPN
IRF7389TRPBF IRF7389PBF
製品ステータス active obsolete
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8 SO-8
梱包サイズ 4000 3800
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1 N/A
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
PH,TH
-
ウェハ製造国
CN,TW,US
-
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
CN,TW,US
個.
在庫あり

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 3800
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国 -
ウェハ製造国 -

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ