IRF7380
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF7380

IR MOSFET 80 V in a SO-8 package
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IRF7380
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    3.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    4.5 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    73 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.31
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N+N

OPN
IRF7380TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
CN,US
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
CN,US
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
  • Fully characterized capacitance including effective coss to simplify design
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

民生用電子機器
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ