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RoHS準拠
鉛フリー

IRF7380

IR MOSFET 80 V in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7380
IRF7380
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    3.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    4.5 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    73 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.31
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N
推奨
OPN
IRF7380TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
  • Fully characterized capacitance including effective coss to simplify design
  • Dual N-Channel MOSFET

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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