IRF6898M

IRF6898M

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 35 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF6898M
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    213 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.1 W
  • Ptot (最大)
    78 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @4.5V)
    41 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.6 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.1 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    DirectFET MX
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance
  • Integrated Monolithic Sckottky Diode

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }