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IRF5803
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IRF5803

生産終了
-40V Single P-Channel Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
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IRF5803
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -3.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1.3 W
  • Qgd
    3.5 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    112 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    190 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -40 V
  • VGS(th) 範囲
    -1 V～-3 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TSOP-6
  • モイスチャー感度レベル
    2
  • 予算価格€/ 1k
    0.13
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P

OPN
IRF5803TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSOP6L
パッケージ名 TSOP-6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSOP6L
パッケージ名 TSOP-6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount power

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Standard pinout, drop-in replacement
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ