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IRF5801

200V Single N-Channel MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF5801
IRF5801
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    0.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Ptot max
    2 W
  • Qgd
    2.2 nC
  • QG (typ @10V)
    3.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2200 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    TSOP-6
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.11
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Small Power
推奨
OPN
IRF5801TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TSOP6L
パッケージ名 TSOP-6
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSOP6L
パッケージ名 TSOP-6
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount power

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Standard pinout, drop-in replacement

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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