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IRF540Z

100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRF540Z
IRF540Z
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    36 A
  • Ptot max
    92 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    26.5 mΩ
  • RthJC max
    1.64 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF540ZPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High current carrying capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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