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IRF1310N

100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF1310N
IRF1310N
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    42 A
  • Ptot max
    160 W
  • Qgd
    38.7 nC
  • QG (typ @10V)
    73.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    36 mΩ
  • RthJC max
    0.95 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220
  • Budgetary Price €/1k
    0.53
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    THT
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IRF1310NPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement to existing devices
  • High current capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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