IR25601S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR25601S

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection
データシート
パッケージ

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IR25601S
IR25601S
データシート


製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    220 ns
  • 伝搬遅延オン
    220 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.169 A
  • 出力電流 (Source)
    0.078 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

推奨
OPN
IR25601STRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.078 A source and 0.169 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Under voltage lockout for both channels
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compatib.
  • Cross-conduction prevention logic
  • Internally set dead-time (100ns)
  • Outputs in phase with inputs
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Lower di/dt gate driver

利点

  • Independent output channels give flexible high- and low-side control
  • High- and low-side driver in one IC means smaller PCB area and lower BOM

図

Circuit_Diagramm_IR25601
Circuit_Diagramm_IR25601
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