IR21834S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR21834S

600 V half-bridge gate driver IC with programmable deadtime
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IR21834S
IR21834S
個.
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    220 ns
  • 伝搬遅延オン
    180 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    2.3 A
  • 出力電流 (Source)
    1.9 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

推奨
OPN
IR21834STRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SOIC 14N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 14N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
600 V Half Bridge Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead SOIC, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED21834S06J , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3 V & 5 V input logic compatible
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Lower di/dt gate driver
  • Output source current capabi. 1.4 A
  • Output sink current capabi. 1.8 A

利点

  • Programmable deadtime lets designers tune bridge timing to the switches and application
  • Cross-conduction prevention protects the half-bridge switches
  • Easy-to-use, straightforward to design in

図

Circuit_Diagramm_IR21834
Circuit_Diagramm_IR21834
Circuit_Diagramm_IR21834 Circuit_Diagramm_IR21834 Circuit_Diagramm_IR21834
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