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IQFH99N06NM5

OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with very-low RDS(on)
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IQFH99N06NM5
IQFH99N06NM5
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    339 A
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.99 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.1 V ～ 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 8x6
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQFH99N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-12
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
This 60 V normal-level power MOSFET comes in our latest innovative, compact clip-based PQFN 8x6 mm² package enabling very high current and power levels. The part offers ultra-low RDS(on) of 0.68 mΩ combined with outstanding thermal performance. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like battery-powered applications, battery management, low-voltage drives and SMPS.

特長

  • Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
  • High chip/package ratio
  • Ultra high currents in compact footprint
  • Ultra-low package parasitics
  • Optimized lead-frame and Cu-Clip design
  • Footprint compatibility with PQFN 5x6
  • Compact layout with less paralleling

利点

  • Minimized conduction losses
  • High power capability
  • Superior device performance
  • Reduced voltage overshoot
  • Superior thermal performance
  • Re-use board for multiple power level
  • Superior switching performance/EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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