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IQE220N15NM5

OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQE220N15NM5
IQE220N15NM5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    44 A
  • IDpuls max
    176 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @10V)
    14.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    22 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Budgetary Price €/1k
    0.92
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IQE220N15NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IQE220N15NM5 is part of the Source-Down family with an RDS(on) of 22 mOhm. The Source-Down technology introduces a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the components. It offers increased thermal capability and improved power density and layout possibilities. The new technology can be found in two different footprints Standard-Gate and Center-Gate (optimized for parallelization).

機能

  • RDS(on) of 22 mOhm
  • Better RthJC compared to PQFN packages
  • Standard-gate footprints available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Highest power density and performance
  • Superior thermal performance
  • Efficient use of real-estate
  • Standard-Gate for easy layout fit-in
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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