Active and preferred
RoHS準拠

IQD009N06NM5CG

OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
データシート

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IQD009N06NM5CG
IQD009N06NM5CG
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    445 A
  • IDpuls (最大)
    1780 A
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.9 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.1 V ～ 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.81
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
推奨
OPN
IQD009N06NM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The power MOSFET IQD009N06NM5CG 60 V normal-level comes in a PQFN 5x6 mm2 Source-Down package. The part offers a very low RDS(on) of 0.9 mΩ combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS , battery-powered applications, battery management , and low-voltage drives .

特長

  • OptiMOS™ 60 V with outstanding FOMs
  • Source-Down package with thermal
  • Source-Down with maximized chip ratio
  • Source-Down in Center-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Center-Gate for optimal parallelization
  • Low RDS(on) on 5x6 mm² PCB
  • Enhanced thermal management
  • Minimal parasitics, optimal switching
  • Industry standard package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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