Active and preferred
RoHS準拠

IQD009N06NM5

OptiMOS™ power MOSFETs 60 V normal-level in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQD009N06NM5
IQD009N06NM5
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    445 A
  • IDpuls max
    1780 A
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.81
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQD009N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The power MOSFET IQD009N06NM5 comes in a PQFN 5x6 Source-Down package. The part offers a very low RDS(on) of 0,9 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS, battery-powered applications, battery management, and low-voltage drives.

機能

  • Cutting edge 60 V silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • Improved thermal performance
  • Ultra-low parasitics
  • Maximized chip/package ratio
  • Standard-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Lowest RDS(on) on a 5x6 footprint
  • Improved thermal performance
  • Easy thermal management
  • Best switching performance
  • Industry-standard package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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