IPTG018N08NM5

IPTG018N08NM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
データシート

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IPTG018N08NM5
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    253 A
  • QG (typ @10V)
    101 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.8 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLG (HSOG-8)
  • 予算価格€/ 1k
    2.07
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V IPTG018N08NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ~60 percent board space reduction.

特長

  • Best in class technology
  • High current rating >300 A
  • Low ringing and voltage overshoot
  • 60% board space reduction
  • Gullwing leads

利点

  • High performance capability
  • High system reliability
  • High efficiency and lower EMI
  • Optimized board utilization
  • High thermal cycling on board handling

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ