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RoHS準拠

IPTC017N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLT package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPTC017N12NM6
IPTC017N12NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    331 A
  • IDpuls max
    1324 A
  • Ptot max
    395 W
  • QG (typ @10V)
    113 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • 予算価格€/ 1k
    3.26
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPTC017N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in TO-Leaded top-side cooling (TOLT) packaging with 1.7 mOhm on-resistance. IPTC017N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

機能

  • Features: 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • Up to 90% better Qrr
  • Up to 35% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent Qg x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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