IPTC014N08NM5
Active and preferred
RoHS対応

IPTC014N08NM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance
データシート
パッケージ

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IPTC014N08NM5
IPTC014N08NM5
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    330 A
  • IDpuls (最大)
    1320 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V)
    144 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.4 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • ピン数
    16 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.88
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPTC014N08NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IPTC014N08NM5 is part of OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT: the TO-Leaded top side-cooling package for superior thermal performance. This innovative package combined with the key features of OptiMOS™ 5 technology allows best-in-class products in 80 V as well as high current rating > 300 A for high power density designs.

特長

  • Low RDS(on)
  • High current rating >300 A
  • Top-side cooling
  • Negative stand-off
  • Sn-free exposed pad
0

利点

  • Efficiency for Extended Battery Life
  • High power density
  • Superior thermal performance
  • Saving in cooling system
  • Minimized thermal resistance to heatsink
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ