IPT039N15N5
Active and preferred
RoHS対応

IPT039N15N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 3.9 mOhm in TOLL
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IPT039N15N5
IPT039N15N5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    190 A
  • ID (最大)
    190 A
  • IDpuls (最大)
    760 A
  • Ptot (最大)
    319 W
  • QG (typ @10V)
    78 nC
  • QG
    78 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.9 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3.9 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • バッテリー電圧
    72-96 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.16
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT039N15N5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications, such as forklifts, light electric vehicles (LEV) , power tools , point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design. Compared to D²PAK 7-pin, TO-Leadless shows a substantial reduction in footprint of 30 percent. The 50 percent reduced height offers a significant advantage in narrow applications such as rack or blade servers.

特長

  • Highest current capability:190 A
  • Significantly reduced electromigration
  • Very low package parasitics
  • Leadless package

利点

  • Less paralleling and cooling required
  • Highest system reliability
  • Low EMI
  • Enabling very compact design
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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