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RoHS準拠

IPT014N08NM5

OptiMOS™ 5 single N-channel power MOSFET 80 V in a TOLL package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPT014N08NM5
IPT014N08NM5
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    11000 pF
  • Coss
    1800 pF
  • ID (@25°C) max
    331 A
  • IDpuls max
    1324 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.4 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.55
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT014N08NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IPT014N08NM5 is Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET 1.4 mOhm, 80 V in a TO-Leadless (TOLL) package with a high current capability of 331 A (ID @25 ˚C). Infineon’s OptiMOS™ 5 silicon technology of power MOSFETs is especially designed for synchronous rectification for telecom and server power supplies . Combined with the TOLL package , IPT014N08NM5 is optimized for battery-powered applications , including LV drives , drones , and e-bikes .

機能

  • Low gate charge (Qg) & O/P
  • Very low RDS(on) at 25˚C
  • High-current rating
  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high-frequency switching

利点

  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
  • Less paralleling required
  • Highest system efficiency
  • Reduced switching andconduction losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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