Active and preferred
RoHS準拠

IPT012N08N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V in TOLL package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IPT012N08N5
IPT012N08N5
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    13000 pF
  • Coss
    2000 pF
  • ID (@25°C) max
    300 A
  • IDpuls max
    1200 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.01
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT012N08N5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design. Compared to D²PAK 7-pin, TO-Leadless shows a substantial reduction in footprint of 30 percent. The 50 percent reduced height offers a significant advantage in narrow applications such as rack or blade servers.

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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