IPP65R110CFDA
アクティブ
RoHS対応

IPP65R110CFDA

650V, N-Ch, 110 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, CoolMOS™ CFDA
データシート
パッケージ

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IPP65R110CFDA
IPP65R110CFDA
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    31.2 A
  • IDpuls (最大)
    99.6 A
  • Ptot (最大)
    277.8 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    118 nC
  • QG
    118 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    110 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    99 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.45 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) (最大)
    4.5 V
  • VGS(th) (最小)
    3.5 V
  • トポロジー
    Full Bridge
  • パッケージ
    TO220
  • 予算価格€/ 1k
    2.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolMOS™ CFDA
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPP65R110CFDAAKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.

特長

  • CoolMOS™ 3 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • automotive qualification
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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