IPP120N04S4-02
Active and preferred
RoHS対応

IPP120N04S4-02

40 V, N-Ch, 1.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2
個.
在庫あり

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IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02
個.

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany, Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • IDpuls (最大)
    480 A
  • Ptot (最大)
    158 W
  • QG (typ @10V)
    103 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    134 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.95 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 発売年
    2010
  • 認定
    Automotive
OPN
IPP120N04S402AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • N-channel-Enhancement mode
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capablity
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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