Active and preferred
RoHS準拠

IPP100N06S2L-05

55 V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2034
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    230 nC
  • QG (typ @10V)
    170 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 予算価格€/ 1k
    1.57
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™
  • 極性
    N
  • 発売年
    2006
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPP100N06S2L05AKSA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (RoHS compliant)
  • Ultra low RDS(on)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Lowest RDS(on) at 55V in Planar Tech
  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • High thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimal total gate charge
  • Smaller drivers output stages

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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