IPP095N20NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPP095N20NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPP095N20NM6
IPP095N20NM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    116 A
  • QG (typ @10V)
    53 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.5 mΩ
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP095N20NM6AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IPP095N20NM6 leverages the advanced cell design of the OptiMOS™ 6 200 V technology to provide suitable alternative to legacy OptiMOS™ 3 and OptiMOS™ FD products. The OptiMOS™ 6 200 V technology was designed to fulfill the requirements of a wide range of applications: from static switching to high frequency in hard and soft switching applications.

特長

  • Industries lowest RDS(on) in 200 V
  • Industries lowest Qrr in 200 V
  • Compared to previous 200 V technology
  • Up to 42% lower RDS(on)
  • Up to 89% lower Qrr(typ)
  • 36% lower FOMg
  • More than 3 times softer diode
  • Improved capacitance linearity
  • Improved SOA
  • Tight Vgs(th) spread of +/- 750 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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