IPP016N08NF2S
アクティブ
RoHS対応

IPP016N08NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in TO-220 package
データシート

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IPP016N08NF2S
IPP016N08NF2S
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    196 A
  • ID (@25°C) (最大)
    196 A
  • IDpuls (最大)
    784 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG
    170 nC
  • QG (typ @10V)
    170 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    1.6 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.5
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP016N08NF2SAKMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.6 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard Pinout for Drop-In Replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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