IPN95R2K0P7
新規設計非推奨
RoHS対応

IPN95R2K0P7

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IPN95R2K0P7
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    4 A
  • ID (最大)
    4 A
  • IDpuls (最大)
    10 A
  • Ptot (最大)
    7 W
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) (最大)
    2000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2000 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    950 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
IPN95R2K0P7ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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The latest 950 V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market, for applications ranging from lighting, smart meter, mobile phone charger, notebook adapter, to AUX power supply and industrial SMPS. P7 has best-in-class VGS(th) of 3 V and a tolerance of only ±0.5 V, protected gate - making it very robust, and comes in a broad portfolio.

特長

  • Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
  • Best-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ
  • Best-in-class VGS(th) of 3 V and smallest VGS(th) variation of ±0.5 V
  • Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
  • Best-in-class quality and reliability

利点

  • Up to 1% efficiency gain and 2°C to 10°C lower MOSFET temperature, compared to CoolMOS™ C3
  • Enabling higher power density designs, BOM savings, and lower assembly cost
  • Easy to drive and to design-in
  • Better production yield by reducing ESD related failures
  • Less production issues and reduced field returns
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ