Active and preferred
RoHS準拠

IPN80R2K4P7

A new benchmark in efficiency and thermal performance
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPN80R2K4P7
IPN80R2K4P7
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    150 pF
  • Coss
    3.8 pF
  • ID max
    2.5 A
  • ID (@25°C) max
    2.5 A
  • IDpuls max
    5.3 A
  • Ptot max
    6.3 W
  • Qgd
    3.4 nC
  • QG
    7.5 nC
  • QG (typ @10V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2000 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.23
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPN80R2K4P7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With the 800 V CoolMOS™ P7 series, Infineon sets a benchmark in 800 V superjunction technologies and combines best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. Robust gate module, body diode, and fast and clean switching are the features that make the product family a perfect fit for flyback-based consumer SMPS applications. It is also suitable for consumer PFC stages, solar, adapter, audio, lighting applications.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Low cost DPak alternative

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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