IPN70R360P7S
Active and preferred
RoHS対応

IPN70R360P7S

Combining excellent performance and ease-of-use
データシート
パッケージ

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IPN70R360P7S
IPN70R360P7S
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    12.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12.5 A
  • IDpuls (最大)
    34 A
  • Ptot (最大)
    7.2 W
  • Qgd
    6 nC
  • QG
    16.4 nC
  • QG (typ @10V)
    16.4 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    360 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    360 mΩ
  • RthJA (最大)
    160 K/W
  • VDS (最大)
    700 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.29
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPN70R360P7SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Low cost DPak alternative
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ