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RoHS準拠

IPLK70R1K2P7

700 V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET in ThinPAK 5x6 package
データシート
パッケージ

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IPLK70R1K2P7
IPLK70R1K2P7
データシート

Product details

  • ID max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    4.4 A
  • IDpuls max
    9.4 A
  • Ptot max
    25.5 W
  • QG
    4.8 nC
  • QG (typ @10V)
    4.8 nC
  • RDS (on) max
    1200 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1200 mΩ
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPLK70R1K2P7ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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