IPL60R180P6
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RoHS対応

IPL60R180P6

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IPL60R180P6
IPL60R180P6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    22.4 A
  • ID (最大)
    22.4 A
  • IDpuls (最大)
    62 A
  • Ptot (最大)
    176 W
  • QG
    44 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    180 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    180 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.71 K/W
  • Rth
    0.71 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 8x8
  • ピン数
    5 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.2
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPL60R180P6AUMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-4
パッケージ名 Thin-PAK 8x8
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2a
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.

特長

  • Reduced gate charge (Q g)
  • Higher V th
  • Good body diode ruggedness
  • Optimized integrated R g
  • Improved dv/dt from 50V/ns
  • CoolMOS™: 12+ years superjunction exp.

利点

  • Efficiency improvement in light loads
  • Improved efficiency in soft switching
  • Versatile switching topologies support
  • Efficiency with controllable switching
  • High robustness and better efficiency
  • Outstanding quality and reliability

アプリケーション

通信インフラ
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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