Active and preferred
RoHS準拠

IPG20N06S2L-65A

55 V, Dual N-Ch, 65 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SSO8 (5x6), OptiMOS™

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IPG20N06S2L-65A
IPG20N06S2L-65A

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2034
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    80 A
  • Ptot max
    43 W
  • QG (typ @10V) max
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    9.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    65 mΩ
  • RthJC max
    3.5 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2012
  • 認定
    Automotive
OPN
IPG20N06S2L65AATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Dual N-ch-Logic Level-Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • Automatic optical inspection viable
  • PPAP Capable Device
  • Dual Super S08 substitutes DPAKs

利点

  • Significant PCB area savings
  • System level cost reduction
  • Bond wire is 200um for up to 20A current
  • Larger source lead for wire bonding
  • Package: PG-TDSON-8-4
  • Equal performance to DPAK, same die size
  • Exposed pad for thermal transfer
  • 2 N-Channel MOSFETs; Isolated Leadframes

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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