Active and preferred
RoHS準拠

IPD5N25S3-430

250 V, N-Ch, 430 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPD5N25S3-430
IPD5N25S3-430
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) max
    5 A
  • IDpuls max
    20 A
  • Ptot max
    41 W
  • QG (typ @10V) max
    6.2 nC
  • QG (typ @10V)
    4.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    430 mΩ
  • RthJC max
    3.7 K/W
  • VDS max
    250 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.45
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-T
  • 極性
    N
  • 発売年
    2012
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPD5N25S3430ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Low trench RDS(on) up to 19.3 mΩ
  • Highest current capability 64A
  • Low switching & conduction power losses
  • High thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized Qg tot, smaller drivers output

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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